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英诺赛科已启动香港IPO预路演拟募资15-2亿美元为全球最大的氮化镓芯片制造企业

更新时间:2024-12-17 10:59:40  点击量:

  据香港经济日报报道,英诺赛科已启动香港IPO预路演,目标交易规模约1.5亿至2亿美元。此前,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司已通过港交所聆讯,中金公司、招银国际为联席保荐人。

英诺赛科已启动香港IPO预路演拟募资15-2亿美元为全球最大的氮化镓芯片制造企业(图1)

  招股书显示,英诺赛科正在推动全球功率半导体行业的创新,致力于氮化镓功率半导体行业的发展,并促进其生态系统。公司是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司,亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

  根据弗若斯特沙利文的资料,按2023年收入计,公司在全球功率半导体行业的市场份额为0.2%,在中国功率半导体行业的市场份额为0.4%。此外,根据同一资料来源,按收入计,公司于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一。

  可再生能源和运算密集型应用的兴起一直在改变世界,该趋势导致对更高效更具经济效益的功率半导体产品的需求激增。氮化镓是一种具有高频率和低导通电阻的宽带隙半导体材料,已成为功率半导体行业持续变革的核心,而且即将加速市场渗透。

  于2023年,氮化镓功率半导体占全球功率半导体市场的0.5%,并预期于2028年占市场的10.1%。凭借公司持续创新及强大的技术专业知识,公司设计、开发及生产若干类型的氮化镓产品,包括分立器件、集成电路、晶圆及模块。公司的产品广泛用于多种行业的电源应用中(例如消费电子产品的快速充电器和适配器、可再生能源的电池管理系统及工业应用、汽车电子的LiDAR系统及数据中心的电源装置)。

  英诺赛科已采用集成器件制造商(IDM)模式,借此可自行把控由制成品设计、制造、包装、测试到销售的整个流程。截至2024年6月30日,公司拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地,产能达到每月12,500片晶圆。

  相较于6英吋硅基氮化镓晶圆,公司先进的量产技术亦使每晶圆的晶粒产出数增加80%,单一器件成本降低30%,展示公司在氮化镓产品持续创新及商业化方面的成本优势和领导地位。

  公司持续努力创新并提升技术水平,巩固了公司在氮化镓半导体行业的领先地位。通过长期致力于研发,公司在8英吋硅基氮化镓工艺技术方面占据市场领先地位。截至2024年6月30日,公司在全球有约319项专利及430项专利申请,涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

  英诺赛科通过与多个行业的知名客户紧密合作,合力推出创新产品,并提供独特价值,率先扩大了氮化镓产品的应用范围。凭借公司在氮化镓技术方面的全面专业知识,公司设计、开发及制造提供不同封装选择的高性能及可靠的氮化镓分立器件,用于各种低中高压应用场景,产品研发范围覆盖15V至1,200V。

  凭借公司在技术方面的领先地位和商业化能力,公司的氮化镓产品已获得广泛的市场认可,并有助于以氮化镓产品为核心的生态系统的发展。根据弗若斯特沙利文的资料,公司于2023年的收入为人民币5.93亿元,在全球氮化镓功率半导体企业中排名第一,市场份额达33.7%。截至2024年6月30日,以折算氮化镓分立器件计,公司的累计出货量超过8.5亿颗。

英诺赛科已启动香港IPO预路演拟募资15-2亿美元为全球最大的氮化镓芯片制造企业(图2)

  英诺赛科的氮化镓产品在各应用领域获得客户的认可,使公司于往绩记录期间实现强劲的收入增长。公司的收入由2021年的人民币6820万元增加99.7%至2022年的人民币1.36亿元,其后再增加335.2%至2023年的人民币5.93亿元。公司的收入由截至2023年6月30日止六个月的人民币3.08亿元增加25.2%至截至2024年6月30日止六个月的人民币3.86亿元。

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  于2021年、2022年及2023年,公司的年内亏损分别为人民币33.99亿元、人民币22.06亿元及人民币11.02亿元,而于截至2023年及2024年6月30日止六个月,公司的期内亏损分别为人民币5.80亿元及人民币4.88亿元。

  公司的经调整净亏损(非香港财务报告准则计量)通过加回就向投资者发行的金融工具确认的负债账面值变动,及以权益结算以股份为基础的付款开支进行调整,于2021年、2022年、2023年以及截至2023年及2024年6月30日止六个月分别为人民币10.81亿元、人民币12.77亿元、人民币10.16亿元、人民币5.49亿元及人民币4.00亿元。

  于往绩记录期间,公司的产品主要在中国销售。随着公司开始拓展至境外,公司于中国内地以外的客户销售收入于2023年及截至2024年6月30日止六个月分别达到人民币5800万元及人民币4040万元,占相应期间总收入的9.8%及10.5%。

  公司经营所处的功率半导体行业竞争激烈,其特点是技术快速发展、客户需求和偏好迅速变化、新产品和服务频繁推出,以及新行业标准和实践常规不断出现。此外,根据弗若斯特沙利文的资料,全球功率半导体行业高度集中,前十家公司的市场份额合计为66.9%。

  据英诺赛科官网资料,其投资者包括招银国际、韩企SK集团、Arm、宁德时代等世界级投资方。

  根据天眼查资料显示,英诺赛科其他投资者可能还包括东方国资、珠海高新投、华业天成资本、中平资本、国民创投、钛信资本、永刚集团、毅达资本、仕富资本、中天汇富、盛裕资本、富坤创投、高鹏资本、金地投资、东科半导体、赛领资本、兴湘集团、海富产业基金、海通创新证券、中国-比利时直接股权投资基金等。

  本次英诺赛科香港IPO募资金额约60.0%将用作公司的资金来源之一,以扩大8英吋氮化镓晶圆产能、购买及升级生产设备及机器以及招聘生产人员;约20.0将用于研发及扩大公司的产品组合,以提高终端市场(如消费电子产品、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心)中氮化镓产品的渗透率;约10.0%将用于扩大公司氮化镓产品的全球分销网络;约10.0%将用于营运资金及其他一般企业用途。

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